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实验室设备

实验室设备

名称

规格

生产厂家

购置日期

设备具体用途

超高真空开循环低温制冷机系统

液氦温度1.8K-500K/液氮温度78K-500K

Janis

20151224

用于角分辨光电子能谱的样品的制冷与旋转测量。

三维角分辨电子能谱分析仪

200V 50Hz

德国 MBS 公司

20151218

MBS公司的A-1型号分析器既能实现不转角度进行样品倒空间数据采集,最优能量分辨率<1.0meV,动量分辨率在0.1度左右,接收角最大可以到38度,并且具有很好的低能表现。

扫描探针粗位移控制器

前置放大器±15V

美国RHK Technology Inc.

20151217

用于精确控制压电陶瓷步进电机

扫描探针粗位移控制器

前置放大器±15V

美国RHK Technology Inc.

20151217

STM控制单元,用于样品表面表征

飞秒激光器

调节范围680nm-1300nm

Newport Corporation

20151211

这台高重频、波长可调谐的飞秒激光器主要用于非线性光谱学以及非线性光学成像研究,包括材料的二次谐波、三次谐波和四波混频表征,载流子动力学研究以及生物组织的双光子和相干拉曼成像。

低温探针台

闭循环液氦4K

美国LakeShore CRYOTRONIC

20151211

基础温度4.5K, 温控范围5-350K, 它可以对材料或器件的电学特性测量、光电特性测量、参数测量、high Z测量、DC测量、RF测量和微波特性测量。

飞秒激光器

调节范围680nm-1300nm

Newport Corporation

20151211

680nm-1300nm连续可调飞秒脉冲输出,用于超快动力学研究,荧光、拉曼光谱等研究

任意波形发生器

65G采样率

KEYSIGHT TECHNOLOGIES

20151210

该任意波形发生器具有高达64GS/sec的采样率和高达25GHz的模拟带宽,我们将利用该信号发生器驱动电光调制器产生亚纳秒任意波形脉冲,对热原子和超冷原子的内外态实现高速控制.该项量子亚纳秒控制技术目前尚是国际科研的一个空白,预期将对原子物理产生比较重要的影响.

傅里叶变换红外光谱仪

测量谱区:30,000-250px-1 ;分辨率:10px-1,

布鲁克

20151210

主要用于测量材料的近红外、中红外和远红外反射/透射光谱,以及材料的发射光谱。

倒置式显微镜

最小步进:0.025μm/最大速度:2.5mm-sCFI 10x, 12.5x, 15x

日本NIKON

20151210

主要用于观察二维材料的形貌、测量尺寸、分析层数,以及拉曼光谱、荧光光谱、反射光谱、透射光谱测量。

低能电子衍射仪

5-500 eV

美国 OCI INC 公司

20151124

OCI公司生产的MCP-LEED 低能电子衍射光谱仪,有着100度俘获角的镀金钨半球栅格、具备先进的带有外径为10mm透镜的完整的微型电子枪、整合快门可达100mm线性运动、LEED自动图像采集和自动分析等先进特性。MCP-LEED 微通道板式低能电子衍射光谱仪是分析晶体表面结构的重要方手段,可广泛用于表面吸附、腐蚀、催化、外延生长、表面处理等材料表面科学与工程领域。

皮秒激光器

27兆赫

EKSPLA立陶宛制造

20151120

此激光器主要用于材料的双光子光谱测量以及生物组织的受激拉曼散射成像研究,由于线宽较窄,具有很好的光谱分辨率。

激光多光镊系统

扫描频率:100KHz

斯洛文尼亚Aresis

20151120

系统可以控制数目达200个的光势阱,在平面内进行实时快速操控。在胶体科学领域,系统可以对微米尺度的胶体粒子进行捕获,力学测量,二维结构排布,二维运动操控,受力测量,研究系统在可操纵平衡态下的热力学行为,比如二维平面诱导的异质成核,不同结构的声子态等;研究非平衡扰动下的响应,不如系统中的流场耦合,pinningactive对系统动力学的影响等。在生命科学领域,系统可以操控细胞进行拉伸,旋转等操作,研究细胞受力学,光学的刺激下的行为等。

掺铒光纤激光器

30瓦线偏振1550nm连续输出

IPG PHOTONICS CORPORATION

20151119

该光纤激光器的输出是30W, 1550nm激光,线宽是0.4nm, 我们正利用该激光产生偶极井,对冷原子实现囚禁,并装入到光晶格,提供基于光晶格激光冷却和量子操纵的偶极势. 并实现冷原子在交叉偶极井中的强制蒸发冷却,实现钾39原子的玻色-爱因斯坦凝聚和其他像变.

光谱仪

波长:500mm

英国Andor公司

20151117

光谱仪可以将复色光分解为光谱线,主要用于拉曼光谱、荧光光谱、反射光谱、透射光谱测量。

超高真空低温杜瓦

最低温度 4.2K

德国Cryvac GmbH&coKG

20151117

提供4.2K低温工作环境

氦液化器

160LITER

美国 QUANTUM DESIGN INC.

20151102

Quantum Design公司的氦液化系统能稳定可靠,维护简单,后期人工成本低。ATL 160型号的液化能力>30/;液氦存储系统160升;氦纯化器采用制冷机方式;无需液氮冷井,输出氦气纯度99.9995%;氦液化器液化时可同时进行输液操作。

反射式高能电子衍射仪

15Kev

德国STAIB INSTRUMENTE GMBH公司

20151030

这台设备可以在超高真空环境下对薄膜样品的生长进行原位的监控与表征。不但可以监控薄膜样品每一层的生长过程,保证样品单层的质量,并且可以精确控制样品的厚度,并且给出样品整个生长过程中的结构信息。特别是在超晶格薄膜样品的生长中,此设备可以保证样品的完美生长。

光谱学无液氮低温恒温器

170 mm*290 mm*635 mm.光学可视窗80 mm,16 kg,最低温2K,21个外接头

Oxford Instruments

20151030

该设备用于显微拉曼和分辨率为亚微米的半导体微结构显微光致发光(?PL)测量。该设备是是市场上液氦制冷的振动最低的显微光学应用低温恒温器,能够连续多个小时保持极低样品振动和漂移,为测量提供极高分辨率,其样品温度范围 2.7-500 K,具有极短的工作距离,最低仅 2.2 mm。其系统紧凑、重量轻,仅1.5 Kg重、49 mm厚。配备有新的 MercuryiTC 智能低温温控仪。

多功能微机控制键合机

X-Y-Z手动操控

美国West Bond

20151030

为了对薄膜材料进行物性的研究,如输运性质,介电常数,铁电性,电磁耦合效应等,我们需要在薄膜材料的上下表面引出两个电极来调控材料的物性或是进行具体测量。这台多功能微机控制键合机可以实现在薄膜的上下层分别引出高质量的电极,特别是在易碎样品上完成电极的连接。由于此设备可以做到极小的引线和样品之间的接触面积,我们可以尽可能的保证样品的完整度,做出更高精度的器件。

反射式高能电子衍射仪

13kev

德国STAIB INSTRUMENTE GMBH

20151030

这台设备可以在超高真空环境下对薄膜样品的生长进行原位的监控与表征。不但可以监控薄膜样品每一层的生长过程,保证样品单层的质量,并且可以精确控制样品的厚度,并且给出样品整个生长过程中的结构信息。特别是在超晶格薄膜样品的生长中,此设备可以保证样品的完美生长。

无液氦综合物性测量系统

+-0.1% T10K +——0.02% 10K

美国Quantum Design公司

20151027

该设备能提供稳定的低温和高磁场环境,并可进行电输运、比热、磁性等基本物性的测量,同时还能允许模块的自定义安装,能方便地拓展其功能。此设备基准温度是1.9 K,磁场是9 T,在这样环境下进行的物性测量对我们测量样品的性质和质量至关重要,是后续进行中子散射实验的前提。

实验室冷却循环水系统

最大制冷容量92Kw-台,不锈钢立式,卧式管道泵

京安古贝(北京)科技有限公司

20151009

由于在整个实验中,多个实验设备在运行中都需要用冷却水进行冷却,包括样品架,激光加热装置,电子束蒸发源,样品生长靶台等,因此我们按装了冷却循环水系统,其最大制冷容量为92Kw/台,其材料为不锈钢,配有卧式管道泵。

高能电子衍射仪

电子出射斑点小于90微米

日本R-DEC公司

20150928

该高能电子衍射枪用于观测材料表面的晶格结构,使我们的分子束外延生长系统能够精确判断样品表面晶格的结构和生长速度。

高能电子衍射仪

电子能量:30kev

R-DEC co,Ltd

20150928

监控样品生长

低温制冷系统

低温杜瓦外径23mm 10针脚/双壁液氦循环系统控温仪

德国Evico-magnetics

20150927

通过控温仪控制测量系统的温度,用于低温下磁性多层膜体系表面磁畴的观测实验。液氦或者液氮通过双壁液氦循环系统进入低温杜瓦进行降温。该系统可以在4K-300k的范围内进行控温,从而满足在不同温度下进行磁性多层膜表面磁畴测量的要求。

低温强磁场杜瓦系统

460V, 60Hz, 3ph

attocube Systems AG, Germany

20150924

本台设备可以和Autotube公司生产的磁力显微镜系统兼容,为磁力显微镜的测量提供一个噪声小、稳定性好、测试温度覆盖4K~300K温度区间,最大可加磁场为9T的测试环境。整套设备不仅可以在低温强场环境下对样品的微观磁结构进行实空间的直接观测,并且可以通过改造,同时兼具电学输运测量,栅压调控,光学激发等多样化的研究与调控。

准分子激光器

波长248nm/脉冲能量400mJ/最大频率20Hz

美国COHERENT(北京)有限公司

20150831

光谱仪

焦长320mm/分辨率0.06mm

HOBIBA INSTRUMENTS   INCORPORATED

20150828

此光谱仪主要用于搭建一台自发拉曼散射光谱仪,用于材料的拉曼光谱测量;也可被用于荧光光谱和双光子荧光光谱的测量。

闭循环低温超高真空扫描隧道-源子力显微镜

扫描范围:正负215V

美国RHKTECHNOLOGY. INC

20150710

PanScan Freedom-LT因其优异的隔振性能,以及无液氦制冷的操作简便性,非常适合在复杂超高真空系统中进行集成。即使实验环境中有机械泵,分子泵,冷凝泵,以及空压机等强噪声源,PanScan Freedom-LT仍然能够保持非常低的噪音水平,得到很好的原子级分辨图像。

OLED蒸发镀膜真空系统

1*10-5Pa,450L,10束源

苏州方昇光电装备技术有限公司

20150625

用于制备小分子有机光电器件

原子力显微镜

XYZ/扫描范围:50μm×50μm

韩国PARK SYSTEMS公司

20150602

Park公司的NX10型号原子力显微镜是一个真正非接触式原子力显微镜,在延长探针使用寿命的同时,还能够良好地保护您的样品不受损坏。此外,柔性解耦XY轴和Z轴扫描器可带来无与伦比的精确度和分辨率。用户友好型界面、简易的激光准直系统、自动探针接近以及分析软件都能让您更快的获得研究结果。

真空气相沉积系统

腔体尺寸:260×500×460mm,制冷温度:-90

SCS公司

20150527

在真空中,将活性小分子(Parylene)生长在基材表面,形成聚合物薄膜图层;此型号沉积系统能够将Parylene涂敷在各种形状的表面,包括尖锐的棱边、裂缝、内表面,使基材抗腐蚀、抗溶解、防潮等。

CCD探测器

1340*400像素

PRINCETON INSTRUMENTS

20150514

主要应用在自行搭建的微区角分辨光谱仪方面。该探测其像素多,在光路数值孔径允许的情况下,可以实现大范围和高角度分辨的测试能力。同时,其在红外光谱范围有增强效果,比传统硅ccd的红外波段有较高的检测灵敏度和信噪比。

多功能镀膜机

美国telemark电子枪,最大功率10KW;F200-1200c涡轮分子泵

杭州赛威斯真空技术有限公司

20150408

该设备将电子束蒸镀技术和磁控溅射技术融为一体,是一款根据本课题的特殊要求定制的多功能镀膜设备。此设备用来制备拓扑绝缘体器件的金属电极,这些拓扑器件包括新型纳米传感器和光感元件。本设备与综合物性测量系统PPMS结合起来,在超低温度和高磁场条件下研究器件特性。

等离子清洗机

真空0.02mbar13.56MHz

PVA TePla

20150327

主要用于去除样品表面的有机污染物、油污或油脂;去除光刻胶、残胶;对样品表面氧化处理;够改善材料表面的润湿能力,使多种材料能够进行涂覆、蒸镀等工艺,增强粘合力、键合力。

激光扫面共聚焦显微镜

德国leica

德国leica

20150320

激光扫描共聚焦显微镜拥有快速三维成像功能,用于观测胶体体系3维的实时空间结构,研究胶体体系的相变动力学以及玻璃化转变动力学。

扫描式电子显微镜

Sigma

Cal Zeiss公司

20141231

可在高真空下观察导电和不导电样品,利用二次电子信息,观察材料的表面和横截面的微观形貌。

低温强磁场制冷系统

最低温度300mk 最大磁场12T

英国牛津公司

20141212

可以提供高达12T的强磁场和并配备300mKHe3低温样品杆,主要用于低温磁场环境下薄膜样品的输运性质的测量。

信号发生器

100kHz/0.001 Hz分辨率

马来西亚KEYSIGHT

20141201

用于产生20GHz以内微波信号进行自旋电子学器件和微波超材料等领域的实验研究,可开展铁磁共振、自旋整流、自旋泵浦、微波吸收等实验测量。

分子束外延生长系统

真空度:10 -9 -10torr

Kurt J. lesker

20140928

该分子束外延生长系统通过外延生长二维材料,由于外延生长的材料速度较慢,生长量严格可控,故用于为我们的实验提供优良的二维单晶样品。

键合机

金丝-铝丝/超声功率:4WA

美国WESTBOND公司

20140811

利用金属导线,在显微镜和微动操作杆的作用下,用来将电学器件的微米级别的电极与常用芯片托的毫米级别电极连接,实现电学接触,进而可以进行下一步的电学测试。

光谱测试系统

具有单光子探测能力,背照射式CCD

英国Andor公司

20140801

该系统主要用于可见光和近红外区光谱测量,与共聚焦显微镜相结合,可有效探测来自样品的荧光和拉曼性质,实现较高的能量分辨。

热蒸镀系统

真空E-7Torr,四靶源1800摄氏度

美国DE公司

20140728

在高真空环境中蒸镀金、银等金属薄膜,此系统与手套箱系统连接使用,实现样品不接触空气进行制备。

稀释制冷极低温矢量磁场扫描隧道显微镜

40 mk

日本Uniisoku 公司

20140711

日本Unisoku公司负责整体提供的这套40mK稀释制冷极低温矢量磁场扫描隧道显微镜最低温度可达到40mK并且稀释制冷机可连续运转,维持时间达到3~4天,可保证长时间的隧道谱图采集。系统能量分辨率在优化后可达到10μeV,是低温STM领域最尖端水平。系统还可稳定工作在4K(液氦)和77K(液氮)温度(4K下的维持时间4天左右)。另外系统矢量超导磁体可产生垂直9T,水平2T的矢量磁场。在测量超导、磁性材料的磁场响应,单自旋态的探测和自旋分辨STM上有重要应用。

无液氦综合物性系统测量

190K连续变温

美国 Quantum Design . Inc.

20140711

Quantum Design公司的无液氦综合物性测量系统集成了输运测量、磁性、铁电、介电等多种测量功能于一身,能够快速、准确的表征样品的物理性质;无需液氦、运行费用低,能够快速变温能力且控温准确,全自动操作,自动控温装置,并且具有功能强大的软件系统。

磁光克尔显微镜

集合了极向和纵向MOKE,空间分辨率达300-350nm

Evico Mangetics公司

20140627

磁光克尔显微镜用于磁畴成像和磁滞回线的测量。该系统集成蔡斯显微镜,能够分辨纵向和极向的Kerr效应,从而能够测量面内和面外磁畴的空间分布。该系统空间分辨率为300-350nm100倍物镜的空间分辨率可达到200nm,用于测量高精度的空间磁畴分布。

高压浮区晶体生长炉

最高加热温度3000-氧气净化系统最高纯度10E-11 ppm

SCIDRE公司

20140627

该设备能够实现最高150大气压的环境压强,高达3000℃的样品生长温度,容易得到高质量的大尺寸单晶。目前该设备用于大尺寸铁基和铜基超导体、过渡金属氧化物,重费米子单晶,为中子散射研究强关联体系提供样品。

氦液化器

液氦生产量每天12L

京安古贝(北京)科技有限公司

20140616

本系统为液氦循环回收系统的一部分。通过置于杜瓦中的冷头压缩制冷。实验室排出的氦气经净化后,在本系统中被液化为液氦,储存于杜瓦中供使用。

极端条件物性测量系统

磁场12T 2K

Oxford Instruments

20140528

利用低温环境和强磁场的极端条件,对二维材料进行电学的测量,以观测二维材料在极端条件下的量子行为。

低温制冷机

净化后的氦气纯度可达到99.999%

京安古贝(北京)科技有限公司

20140523

本系统为液氦循环回收系统的一部分。本系统为J1500093 | 氦液化器”提供纯净氦气供其液化。实验室排出的氦气在本系统中先后经过干燥器除水,液氮冷阱(通过在液氮温度的活性炭)除去氮气等杂质,产生纯度可达99.999%的氦气。

快速热退火炉

温度范围30-1250摄氏度;升温速率:10-80-s

Allwin21公司

20140522

通过辐射加热、水冷以及高精度温度探测与气体流量控制,在N2气氛中,精确地控制样品的快速加温、降温过程;快速退火可实现应力释放、欧姆接触快速合金、离子注入激活等多种功能。

纳米压印系统

压印精度:20nm;温度范围:200度;

Obducat公司

20140522

纳米压印系统主要用于微纳结构制造;利用模具在衬底上制造微纳米图形结构;纳米压印技术可广泛应用于生物医学、高密度存储器、光子晶体、太阳能电池、传感器等领域。

低温X射线衍射仪

可读最小步长0.0001-变温范围-190~100

德国Bruker公司

20140325

该设备主要用于精确测量磁性薄膜、多铁材料、铁基超导体、铜氧化物超导体,重费米子超导体,高轨道过渡金属化合物的晶体结构,测量薄膜厚度及研究低温下的结构相变,还可用于排列单晶样品,为中子散射等需要大量单晶的测量做准备工作。

原子层沉积系统

thermo型,6路源管路,4个源瓶

芬兰Picosun公司

20140319

它是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器, 当前驱体达到沉积基体表面,它们会在其表面化学吸附并发生表面反应从而形成沉积薄膜。该技术在集成电路,凝聚态物理,光子晶体等领域应用广泛

激光共聚焦显微拉曼光谱仪

焦长 800mm, 分辨率 1um波长220nm - 1600nm

法国Horiba Jobin Yvon公司

20140319

常用的光学表征与测试技术。通过一定波长的激光激发样品中的电子跃迁,探测该过程中在材料内部发生的各种拉曼散射以及荧光信号,从而得到材料内部的电子能级,能带结构,声子等物理信息。是低维半导体,复杂电子体系,石墨烯等前沿领域必不可少的研究与表征设备。常用的光学表征与测试技术。通过一定波长的激光激发样品中的电子跃迁,探测该过程中在材料内部发生的各种拉曼散射以及荧光信号,从而得到材料内部的电子能级,能带结构,声子等物理信息。是低维半导体,复杂电子体系,石墨烯等前沿领域必不可少的研究与表征设备。

临界点干燥仪

半自动型,带Soter,样品尺寸:4英寸,兼容小片

美国Tousimis公司

20140317

临界点干燥仪主要用于干燥生物样品,避免了表面应力对样品的损坏;在二氧化碳临界点,二氧化碳存在连续的状态,介质在液态和气态没有明显区别,分界面的应力降到零,从而保证样品表面的完整。

极低温矢量磁体稀释制冷系统

最低温度9mK,矢量磁体磁场9T-3T

牛津仪器公司

20140313

本系统提供样品物性测量的极低温(空载最低9mK,加样品杆最低可稳定在20~30mK)和强磁场环境(z轴最大9Tx轴最大3T)。配合不同的样品杆可进行样品的电输运和热输运的测量。

超连续光纤激光器

20MHz, 2W

Fianium

20140213

该激光器可产生波长范围从410nm2400nm的连续白光激光,并可以提供稳定的大功率输出,与光谱测试系统和光学显微系统相结合,可实现对样品光学性能的探测,例如测量样品的吸收谱。

离子束刻蚀系统

系统极限真空:6E-7 Torr, Ar离子束径100mm/样品尺寸:小于6英寸,离子能量:1keV

北京埃德万斯离子束技术研究所

20140115

Ar离子刻蚀多种材料的表面,实现图形转移,其刻蚀为纯物理刻蚀;Ar离子刻蚀使用于各种材料刻蚀:金属、合金、半导体(SiSiO2GaAs等)、金属氧化物、非金属氧化物、氮化物、碳化物等。

超高速光学相机探测系统

2ps

Optronis

20131226

超高速光学相机探测系统:在研究半导体光学性质方面,时间分辨的荧光光谱是一个非常有力的手段,通过时间分辨光谱可以分析半导体荧光的动力学,这可以通过实验观察电子在半导体的能级上的占据数的变化。

椭圆偏振光谱仪

宽光谱范围:1422100纳米

法国horiba jobin yvon公司

20131204

是一种用于探测薄膜厚度、光学常数以及材料微结构的光学测量设备。由于并不与样品接触,对样品没有破坏且不需要真空。可测的材料包括:半导体、电介质、聚合物、有机物、金属、多层膜物质。可以应用于半导体、通讯、数据存储、光学镀膜、平板显示器、科研、生物、医药等领域。

磁控溅射镀膜系统

4个磁控溅射源/最大8”基片

DE公司

20131127

电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,而产生的二次电子借助于靶表面上形成的正交电磁场,被束缚在靶表面特定区域,增强电离效率,增加离子密度和能量,从而实现高速率溅射。是制备低维度,小尺寸纳米材料器件的必备实验手段,广泛应用于集成电路,光子晶体,低维半导体等领域

综合物性测量系统

最大磁场为9T-最低温1.9K以下/温控精度±0.0025K

美国Quantum Design公司

20131028

低温物理性能测试系统是进行样品低温物理特性分析的最关键设备。该系统具有极低温,高磁场,噪音低,自动化程度高等优点。PPMS作为一种有效的物理性能分析工具,可以对各种材料进行多种形式的分析,包括电学和磁学。利用PPMS来研究是材料性能,其内容丰富、方法直观。大量的物性研究工作需要进行特性表征实验

光谱超导磁体系统

5T特斯拉

Oxford公司

20131016

光谱超导磁体系统:光学材料在强磁场下的发光性质一直是比较热的课题,而要得到足够强的磁场需要用到超导磁体,这对光学材料的磁性性质非常重要。

飞秒放大器系统

脉冲时间35飞秒/能量5W

美国Coherent公司

20131011

我室飞秒放大器系统现可在1800nm2)近红外波段~1.3微米波段,~2微米波段,3)中红外波段~3微米,提供35-100飞秒脉冲。主要用于和频光谱测量,在配备Andor成套光谱仪时,可完成光谱分辨率约250px-1 ,时间分辨率约50fs的测量

单晶生长炉

1400

昆明沃特尔机电设备有限公司

20130925

该设备为三温区单晶炉,可长期在1400°的高温下工作,主要用于布里奇曼法、气相法生长高质量、大尺寸单晶,如铁基超导体、拓扑绝缘体等。目前主要用于KxFe2Se2等铁基超导体的生长,为我们中子散射提供高质量单晶样品。

氮气回收循环系统

额定功率8.6K

QuantumDesign 公司

20130918

该设备为2004年购买的PPMS EC I,与2014年升级为EC II系统。该系统为无液氦启动系统,消除了用户对液氦的依赖,不但免去了日常传输氦的麻烦,也大大降低了设备的运行成本;升级后的杜瓦设计隔热效果更好,升降温速率更快、氦气液化效果更好。

微纳器件制版机

分辨率:1um,光源功率:10W,光源波长:390nm

Heidelberg公司

20130827

制版机是微纳加工工艺过程中直接、方便地在样品表面制备微纳图形结构的设备;采用紫外光源(390nm),可制作光学掩模版;也可以直接实现光刻胶的曝光,在光刻胶上制作出亚微米(>1um)图形结构。

微弱光谱探测系统

1340X400

Princeton公司

20130826

液氮冷却的CCD,阵列大小1340x400用于微弱光信号探测

能谱仪

分辨率124eV;分析元素:Be4-Pu94;80mm2 超大面积活区

Oxford公司

20130820

安装在双束显微镜 Auriga上,X-Max 80为电制冷能谱仪(EDS),材料微区成分分析,表征特征元素及/或成分含量,同时得到高质量的图像和分析结果。

超纯水系统

超纯水电阻:18.2兆欧MΩ

Millipore公司

20130820

直接从自来水生产纯水(II级水)和超纯水(I级水),超纯水电阻:18.2兆欧。

感应耦合等离子刻蚀系统

样品最大尺寸:5寸;刻蚀气体:ArCHF3CF4SF6

Oxford公司

20130814

主要用于刻蚀Si基材料,SiSiO2SiNx,低温深Si刻蚀等,广泛应用于物理,生物,化学,材料,电子等领域。等离子体源与射频加速源分离,所以等离子体密度可以更高,加速能力也可以加强,以获得更高的刻蚀速率,以及更好的各向异性刻蚀。

手套箱

H2O<1ppm;O2<1ppm

德国MBRAUN 公司

20130806

布劳恩公司的UNIlab型号手套箱具有有惰性气体净化系统 (SP/DP),高效灰尘过滤器 HEPA H13,自动再生并带有自动重启功能,带有脚踏板的箱体自动压力控制系统等特点,能很好地满足日常科研中对单晶样品生长及保存等需求。

Rie刻蚀机

样品最大尺寸:300mm;刻蚀气体:ArO2CF4SF6

Trion公司

20130725

在反应离子刻蚀中,气体放电产生的等离子体中有大量化学活性的气体离子,这些离子与材料表面相互作用导致表面原子产生化学反应,生成可挥发产物。这些挥发产物随真空抽气系统被排走。随着材料表层的“反应-剥离-排放”的周期循环,材料被逐层刻蚀到指定深度。除了表面化学反应外,带能量的离子轰击材料表面也会使表面原子溅射,产生一定的刻蚀作用。所以,反应离子刻蚀包括物理和化学刻蚀两者的结合。

双束显微镜防震台

主动式防震;系统固有频率:1Hz-1.6Hz;平面度0.005mm-m2

ZEISS公司

20130724

减小周围环境的震动对双束显微镜的加工精度的影响;主动式防震;系统固有频率:1Hz-1.6Hz;平面度0.005mm-m2

分子束外延设备

真空度可达10-10 torr-温度温度误差为0.01

美国Perkin Elmer公司

20130724

主要开发和探索新型拓扑绝缘体材料,研究其卓越的表面物理特性,并利用拓扑绝缘体的纳米材料来制备新型纳米器件。也将探索拓扑绝缘体和磁性氧化物的界面特性,通过调节磁性氧化物的磁畴取向来控制拓扑绝缘体的表面态,从而实现新的物理器件。

超高真空三轴传输系统

真空度250/240V

UHV Design公司

20130708

该型号是UHV Design公司的最新技术,径向传输距离比其他同类产品提高了1.5倍,配合马达电机驱动,是进行高度、面内角度、径向伸缩长度三个自由度的自动调节,实现多套分子束外延生长系统和测试平台对接。

半导体器件分析仪

电源和测量范围200V-1A/最低测量分辨率0.1fA/0.5?V

美国安捷伦公司

20130620

用于测试拓扑绝缘体电阻,从而获取表面态的信息。能够建立实验室I/V 测试的能力以及拥有精密型电源的能力。精密型电源/测量单元(SMU)作为双通道、结构紧凑经济高效的台式 SMU,能够输出和测量电压和电流。可轻松地执行 I/V(电流 vs 电压)高精度测量。综合 4 象限电源和测量能力无需配置多个仪器即可轻松便捷地进行 I/V 测量。

热蒸发镀膜机

电源功率:2KW;极限真空:5×10-7Torr

Kurt.J.Lesker公司

20130529

在高真空下,采用电阻式蒸发原理,利用大电流在蒸发舟上加热所蒸镀材料,使其在高温下熔化蒸发,从而在样品上沉积所需要的薄膜。通过调节所加电流的大小,可以方便的控制镀膜材料的蒸发速率。通常适合熔点低于1500oC的金属薄膜的制备。

电子束蒸发镀膜机

电子枪功率:5KW;极限真空:5×10-8Torr4个干锅;

Kurt.J.Lesker公司

20130529

在高真空下,电子枪灯丝加热后发射热电子,被加速阳极加速,获得很大的动能轰击到的蒸发材料上,把动能转化成热使蒸发材料加热气化,而实现蒸发镀膜。电子束蒸发源由发射电子的热阴极、电子加速极和作为阳极的镀膜材料组成。电子束蒸发源的能量可高度集中,使镀膜材料局部达到高温而蒸发。通过调节电子束的功率,可以方便的控制镀膜材料的蒸发速率,特别是有利于高熔点以及高纯金属和化合物材料。

电子束蒸发源

0-1000Ev 300w 250

德国Omicron公司

20130527

图形发生器

400MHz信号处理器;5MHz的写速;33MHz信号处理单元

Raith

20130527

安装在扫描式电子显微镜(EVO MA10型)上,通过图形发生器进行电子束直写,制作微纳米图形结构(最小线宽为100nm)。单次最大可写范围1×1mm,写场不能拼接,不能用于制作高精度的光刻掩模板。

射频与微波信号发生器

100kHz-40GHZ

德国Rohde&Schwarz公司

20130527

射频与微波信号发生器可产生幅度或者相位调制的微波,微波可被用于激发磁性薄膜的铁磁共振,研究共振条件下的电输运行为。实验室选购的信号发生器功率上限可达30 dBm,频率上限可达40 GHz

烘箱

温度:160/最大样品尺寸8

YES公司

20130520

主要用于涂胶前涂敷HMDS试剂,增加光刻胶和衬底的粘附性。大多数光刻胶是疏水的,而有些样品是亲水的,光刻胶很难涂敷在样品表面,因此涂敷HMDS可改变样品表面的亲水特性,表面变为疏水,有利于光刻胶的粘附。

超高真空低温-变温扫描隧道显微镜

4.2-100K

德国Createc公司

20130508

该型号STM 采用pan-type的扫描头设计,最大扫描范围+-2.5mm,可以加2T的纵向磁场,真空维持在1e-10mbar并且具有外置的摄像头,可以方便的进行样品定位。STM扫描头的最低温度可以降到4.5K,并且可以稳定的从4.5K 连续变温到60K. 每天的液氦损耗只有1升。STM腔和MBE腔有机结合在一起,可以进行样品的原位生长和STM测量。

综合物性测量系统

+9T 1.9K-400K

美国Quantum Design公司

20130319

最新PPMS-9EverCool II无液氦杜瓦系统,由美国QUANTUM DESIGN公司生产,是目前使用最为广泛的综合物性测量系统,可在0-9T磁场,1.9-400K温度的环境下进行磁、电、热等多种物性测量。新型EverCool II低温杜瓦可无全程液氦启动与测量。多功能样品杆设计可进行自定义的实验,如大电阻、多通道、铁电、介电和光电等样品特性的测量。

有机半导体薄膜生长设备

600C

大连齐维科技发展有限公司

20130315

本设备为高真空有机物半导体生长腔体,整个设备按照实验需要自行设计,本底真空低于1.0*E-10Torr. 主腔体材料为304L,配备有离子泵,分子泵,机械泵,晶振,电子束蒸发源,样品架,样品加热装置,样品冷却装置等设备。可在腔体内实现有机物半导体器件的原位生长。

微弱信号光谱测试系统

500mm*350mm*300mm

英国Andor公司

20130311

此光谱仪长期放在201采集微弱信号,主要用于在飞秒系统上采集手性分子的单光子吸收荧光和双光子吸收荧光;平时当需要采集其他二维样品,如二硫化钼等材料,的荧光时也会挪到那个光路上去用。

微弱信号光谱测试系统

500mm*350mm*300mm

英国Andor公司

20130311

该光谱仪是飞秒激光非共线和频光谱测量系统、二倍频测量系统、泵浦-探测测量系统的重要组成部分,主要用于样品信号采集。该光谱仪由单色仪和CCD组成,具有灵敏度高、噪音低等特点。

二阶时间关联探测器

精度2皮秒

德国PicoQuant公司

20130122

二阶时间关联探测器:该探测器搭配二阶时间关联测量系统能够提供很高的信噪比和很高的灵敏度。

显微探针测试台

X-Y轴行程155×155mm/旋转行程360

Cascade公司

20130122

电学特性测量设备,可实现I-VC-V等特性表征。

引线压焊机

操作平台尺寸约10×10英寸/双力键合控制

WestBond公司

20130122

利用超声、摩擦技术,实验室中可将微结构电极与基板电极连接,可制作各种微型器件的引线。

超低温超高真空扫描探针显微镜

室温-5K/真空度:-11MBRA

CreaTec Fischer & Co. GmbH

20130101

利用电子隧穿技术,对材料进行原子尺度的表征,在低温环境下可以对材料中电子的量子态进行实空间的观测。同时,利用隧穿电子谱,可以对材料的能带进行表征。

特殊物性测量系统

3SMU电流测量范围为0.1fA-100mA;电压测量范围为0.1uV-200V

Keithley

20121220

电学特性测量设备,可实现I-VC-V等特性表征

图形发生器

400MHz信号处理器;6MHz的写速;33MHz信号处理单元

Raith

20121220

安装在扫描式电子显微镜(Sigma型)上,通过图形发生器进行电子束直写,制作微纳米图形结构(最小线宽30nm)。单次最大可写范围1×1mm,写场不能拼接,不能用于制作高精度的光刻掩模板。

双束显微镜

1nm@15kV;3nm@30kV;离子束切割分辨率10nm

Carl Zeiss

20121220

通过聚焦离子束的刻蚀和沉积制作纳米图形,用于各种微纳器件和低维纳米人工结构的制作,也可用于制备TEM样品和集成电路的失效分析等。SEM:各种材料形貌观察和分析; FIB:材料微纳结构的样品制备,样品微观刻蚀与沉积等。

单光子探测系统

HPM-100-40

德国Becker&Hickl公司

20121212

用于时间相关单光子计数系统(TCSPC),对单光子探测具有极高的时间分辨率和优异的量子产率,在荧光寿命成像和荧光相干光谱测量中发挥单个光子分辨的重要作用。

极低温强磁场扫描隧道显微镜

1300X

日本Unisoku公司

20121116

超导真空分子束外延扫描隧道显微镜联合系统(UHV MBE-STMUnisoku USM-1300-3He)配备有多个独立蒸发源,样品温度可控制在100-1600 K,满足薄膜不同生长温度范围需求。STM最低温度可以达到0.4 K,垂直施加11 T的磁场。该系统在精确控制薄膜生长的基础上,从原子尺度上直接探测极端条件下材料表面的原子结构和电子态信息。

等离子化学气相淀积设备

沉积温度300-400℃,沉积SiO2的速率大于40 nm/min,沉积SiN的速率大于10 nm/min

Oxford Plasma Technology公司

201211

在保持一定压力的原料气体中,借助射频功率产生气体放电,大大增强反应气体的化学活性。在相对较低的温度下在基片上沉积出所期望的薄膜。优点是:基本温度低,沉速率快,成膜质量好,针孔较少,不易龟裂。

可调谐皮秒激光器

200nm-2um

Fianium公司

201211

SC400-4-PP是可调谐的超连续激光光源,波长范围从200nm2μm,可以产生重复频率达40MHz,宽度只有6ps的脉冲激光。广泛应用于时间分辨的测量,是时间相关单光子计数系统的理想光源。

高性能计算机集群

INTEL至强5645双路6核,24G内存,500G硬盘。

曙光信息产业股份有限公司

20121001

该高性能计算集群是目前表面物理实验室的基础计算平台,配置为双路机架服务器,至强处理器,主要运行VASP以及其他课题组自己编写的软件,使用率较高,目前在该平台上用户有超过100人,包括硕士博士生,计算资源较为紧张,需要考虑进行进一步扩充,提升计算能力,更好的满足师生对于计算资源不断增长的需求。

无液氦制冷变温系统

GM循环

美国Advanced Research Systems公司

201209

该无液氦制冷变温系统用于为我们的扫描探针显微镜进行变温,使扫描探针显微镜能够在不同的温度下观测材料表面的物理特性。

多光速高重复频率飞秒激光系统

多光束, 80MHZ重复频率

美国Newport公司

201209

该系统作为超快可调光源,波长可覆盖紫外、可见光以及近红外波段,与变温超高真空高分辨的扫描隧道显微镜相结合,可以实现不同颜色的激发—探测的高时间分辨的动力学研究。

探针轮廓仪

台阶高度重复性5A/扫描长度50um-55mm/垂直测量范围可达1毫米

Bruker

20120727

主要用于薄膜厚度测量、表面形貌平整度、粗糙度测量;通过探针在物体表面的垂直位移,并通过与标准片的测量对比,达到测量物体表面台阶高度、粗糙度的精确测量。

扫描式电子显微镜

100nm

Carl Zeiss公司

20120712

利用二次电子信息可以对各种材料进行表面观察与分析,在新型材料学科领域中广泛应用。可通过配备EDS能谱仪,进行材料元素的加工和分析。

低温测量系统

最低温度:2K/光学可视

英国Oxford公司

20120712

利用低温环境,对二维材料进行电学的测量,以观测二维材料在极端条件下的量子行为。同时,系统配有光学视窗,可以在低温下对样品进行光学测试。

原子力显微镜

Z方向噪声水平小于0.035nmXY方向噪声水平小于0.15nm

Bruker

201207

可以测量样品(导电和不导电)的表面三维形貌;可以测试样品中不同物质的摩擦系数,定性区别样品不同组分;可以研究材料的磁性性质、导电性质;可研究样品的相特性等。

紫外光刻机

最小线宽小于0.8um,光刻正胶敏感波长365nm,光刻负胶敏感波长400nm

Suss Micro Tec 公司

201207

采用紫外光源,实现光刻胶的曝光(即图形结构转移),将掩模版上的图形转移到光刻胶上,在光刻胶上制作出亚微米(>0.8um)图形结构。紫外光刻系统是目前实验室光刻技术中最为常用和重要的光刻设备。

傅里叶红外光谱仪

900-2000nm

德国布鲁克公司

20120628

傅里叶红外光谱仪:半导体或者二维材料内的声子在其光学性质上起着至关重要的作用,而声子的能量对应着红外光子的能量,通过傅里叶红外光谱仪我们可以研究声子的作用。

安道尔光谱仪

303mm

英国Andor公司

201206

该光谱仪用于飞秒宽带相位敏感的和频光谱信号的测量

安道尔光谱仪

303mm

英国Andor公司

201206

这台光谱仪现用途是本实验室拉曼显微镜的组成部分,使用时配合本实验室自己搭建的显微拉曼系统中的激光器以及显微镜系统共同使用。具体用途是整套系统的数据收集终端,采集通过显微镜系统得到的样品拉曼散射光信号

脉冲发生器

1000px*1500px*500px

美国Picosecond Lab

201206

脉冲发生器可产生宽度、幅度和频率连续可调的脉冲电信号,脉冲电压可被用于研究磁性材料对瞬时电压的响应以及自旋衰减行为。实验室选购的脉冲发生器电压上限可达5 V,最小脉宽可达65 ps

超高真空STM的数据采集处理系统

930G

德国Omicron公司

201203

该系统是德国Omicron超高真空STM系统的配套子系统,包括STM电子控制单元,相应的控制和数据处理软件。主要用于STM系统的电子控制,进行实验数据的采集、处理、分析和显示。

低温冷冻机

4K

Ulvac cryogenics公司

201203

UR4K03是一款闭循环式的无液氦冷冻机,最低冷却温度4.2K,通过水冷给压缩机散热,目前用在角分辨光电子能谱设备的冷凝泵上,用于低温吸附气体。

扫描探针测量系统

扫描精度:0.15nm、磁学电学测量

PARK SYSTEMS公司

201203

在大气环境中对材料的表面性质进行快速表征,比如可以测量二维晶体的层数。同时此系统还配有其他配件,在实空间测量材料的磁性、电学性质、力学性质等。

原子力显微镜

100*100微米

PARK SYSTEMS公司

201203

此系统配合手套箱使用,在手套箱的惰性气体环境中,对材料的表面性质进行快速表征,比如可以测量二维晶体的层数以及器件表面的平整度等。实现样品不接触空气,就可以进行测试。

综合物性测量系统

低温强磁场、9T50mk

美国Quantum Design公司

201202

该型号PPMS可提供低温(50mK)强磁场(±9T)测量环境,集成全自动的磁学、电学、热学和形貌,甚至铁电和介电等各种物性测量手段。目前可以进行的测量项目有ResistivityAC TransportHeat CapacityLow FieldACMSVSMSPM

共晶焊接机

穿引线0.8毫米

美国west bond 公司

201202

该仪器主要用于辅助薄膜样品与测量电极之间的导线连接。

集群通信网系统

DELL R410*48DELL R510*1

DELL

201202

该专用服务器配置为双路机架服务器,至强处理器,主要运行VASP等第一性计算软件,主要为并行计算任务,也有一部分计算资源用于满足串行程序的计算需求。使用率较高。

电子束蒸发系统

极限真空:10(-7)Pa,6寸样品台,可旋转

Thermionics Laboratory 公司

201201

利用高能电子的加热效果,在高真空环境中,蒸镀各种金属和非金属材料,如金、银、氧化硅等。通常用来对器件蒸镀金属电极以及绝缘层。

二阶时间关联测量系统

200-1000um

法国Horiba Jobin Yvon SAS 公司

20111206

二阶时间关联测量系统:在研究光子在光子晶体等微纳结构中的性质时,需要用到二阶时间关联探测系统,该系统能够提供为我们研究单光子等试验提供技术手段。

电子束蒸发源

坩埚直径约25px/功率约15W-30W

德国MBE公司

201112

该设备用于样品生长,由于电子束轰击靶材可以达到几千摄氏度的高温,可以进行氧化物如MgO、重金属如Pt等材料的生长,设备的温度可控性高、对真空的破坏性小,可以得到高质量的薄膜。

实域光谱仪

0.2-20T/分辨率小于50dbm/频谱分辨率15GHZ

美国ZOMEGA TERAHERTZ公司

201112

该仪器利用由飞秒激光泵浦光电导天线产生的广谱太赫兹信号,测量0.22太赫兹频率范围内待测样品的透射和反射的时域电磁响应。

光纤激光器及电源

波长780nm/140毫瓦

德国TOPTICA PHOTONICS公司

201112

该飞秒光纤激光器具有780/1560nm 双模式,输出功率为150mw,重复频率为80MHz,作为太赫兹光电导天线的泵浦源使用。

高速实时数字示波器

12.5G带宽/30M存储深度

美国泰克公司

201111

用于有机半导体器件瞬态光电压(Transient Photovoltage, TPV)测量系统中电压信号测量

无液氦超导磁体和低温恒温器

最低温度1.4K,最大磁场9T

英国OXFORD公司

201111

主要用于低温磁场环境下薄膜样品的输运性质的测量,可以提供9T的磁场和1.4K的液氦低温环境

光学显微镜系统

倒置/高数值孔径

日本NIKON公司

201111

该系统主要用于高性能光谱共聚焦成像,具有对样品显微成像和定位的功能,与超快飞秒激光相结合,能够实现对样品的光学信号的高性能空间分辨成像,例如荧光成像表征。

微弱光谱探测系统

1340*100pixel

美国Princeton公司

201111

高分辨率光谱仪

原子力显微镜

分配率: 0.01-0.1纳米

广州市本原纳米仪器有限公司

201110

此原子力显微镜为CSPM5500系列扫描探针显微镜系统,包括原子力显微镜、扫描隧道显微镜、横向力显微镜和纳米加工和图形刻蚀等功能,通过扩展可以实现磁力显微镜、静电力显微镜、导电原子力显微镜等功能。主要用于样品形貌的扫描和对样品进行图形刻蚀。

超高真空离子泵系统

超高真空, 贵金属二极管、真空度:10-9Pa

美国Kurt J. Lesker公司

201110

该超高真空腔系统用于放置扫描探针显微镜,可连接真空泵使腔体内部达到超高真空环境,使扫描探针显微镜能够在超洁净环境中工作。

单色仪

500um

德国Specs 公司

20110811

SPECS TMM304单色仪采用盒式光学设计用于获得用户所选波长的最大光通量,每块光栅调节范围0-125nm;出射光斑<500um,线宽<1meV,光电流HeI>20nAHeII>8nA,最高烘烤温度120℃。

引线机

金丝/铝丝/超声功率:4W

美国westbond公司

201108

利用金属导线,在显微镜和微动操作杆的作用下,用来将电学器件的微米级别的电极与常用芯片托的毫米级别电极连接,实现电学接触,进而可以进行下一步的电学测试。此系统在手套箱内使用,实现器件不接触空气就可以进行引线的操作。

高能固体皮秒激光系统

1064nm,30ps

立陶宛EKSPLA公司

201106

该皮秒激光器稳定性很好,用来做参量放大,产生可调谐的可见光及红外光,用此光源进行和频光谱的测量,研究表面及界面的结构信息

超高真空腔系统

10 -11 -12torr

MDC公司

201106

该超高真空腔系统用于放置扫描探针显微镜,可连接真空泵使腔体内部达到超高真空环境,使扫描探针显微镜能够在超洁净环境中工作。

单光子探测器

范围:300-1000纳米

Andor公司

201106

EMCCD即电子倍增CCD,是探测领域内灵敏度极高的一种高端光电探测产品,可达到单光子级别的灵敏度。广泛应用于各种条件下的光子探测,是各类超快成像应用例如表面拉曼增强、荧光成像实验等的理想选择。

高能固体皮秒激光系统

1064nm,30ps

立陶宛EKSPLA公司

201106

35ps,高功率皮秒激光系统,输出波长1064nm,主要用于和频光谱、拉曼光谱、荧光光谱测量等

精密单光子探测光谱仪

400nm900nm具有85%以上光子探测效率

美国Princeton Instruments公司

201104

该系统主要用于在可见光和近红外光谱探测,具有在400纳米至900纳米区间具有高的光子收集效率的特点,用于对来自样品的微小光学信号的探测,例如测定样品的拉曼光谱和荧光光谱。

AKTA蛋白分析层析系统

100Pa

GE Healthcare

201104

AKTA蛋白分析层析系统是一个快速分离肽、核酸、蛋白和天然产物的液相色谱系统,其配套的色谱柱和方法模板可以进行凝胶过滤、离子交换、疏水层析、反向层析和亲和层析,最适于纯化设计实验。

倒置型荧光显微镜

目镜:WHN10×: 高眼点, 视场

Olympus

201104

依托于Olympus IX71显微镜平台,搭配激光、高放大率物镜(60X100X)和EMCCD,在此基础上搭建了TIRFSTORM等显微镜系统,适用于进行单分子荧光观测,研究蛋白质功能及其构象变化。

JGP-500磁控溅射系统

真空室尺寸:Φ500(内径)X350mm

中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司

201102

该系统一方面可以进行样品生长,可生长AuPtCoFeCr等金属薄膜,用于研究多层膜的磁性和输运等性质;另一方面可以完成样品光刻的几个重要环节,比如利用氩离子刻蚀进行干法刻蚀、套刻金电极等,在微结构样品制备中发挥重要作用。

电子能量分析仪

380v-220v

德国Specs公司

20110127

SPECS公司150型号的角分辨光电子能谱分析器平均半径150mm,磁透镜和探测器都覆盖两侧2mm厚的Mu金属材料以屏蔽外界的磁场,可实现大范围的光电子动能和通过能量,较高的能量和角度分辨率。

矢量网络分析仪

750px*750px*500px

德国ROHDE&SCHWARZ公司

201101

网络分析仪用于产生微波并分析通过样品的微波能量,测量样品的吸收谱,分析样品的磁动力学参数。实验室选购的网分频率上限可达40 GHz,微波功率可达12 dBm

高功率飞秒激光器

20mJ

美国Newport公司

201101

35fs高功率飞秒激光系统,中心波长800nm,单脉冲能量5mJ用于非线性光谱、超快动力学等研究

分子束外延真空腔

10e-7pa

美国K.J.lesker公司

201012

该设备通过分子泵和离子泵实现超高真空样品生长环境,主要用于薄膜样品的生长和制备,并配有原位的高能和低能电子衍射成像,俄歇电子能谱分析,氩离子束刻蚀等材料特性表征和材料制备设备

紫外激光器

355nm

cohernt公司

201011

从该型号激光器出射的激光是355nm3.497eV),功率为4W,重复频率120MHZ。出射的355nm 激光经过聚焦以及KBBF晶体倍频后可得到稳定的177.3nm7eV的倍频光,作用到ARPES分析腔的样品上,提高ARPES测量的体敏感度。

氙灯光源

光通量:单色前10*e17次方每秒每立体角

德国specs

201011

SPECS公司的ULVS氙灯光源通过Xe气等离子发光产生9.57eV的光子能量,光电流密度>20nA/mm2,光通量1*10-7,可以为ARPES实验提供不同能量的激发光源,测得样品的三维电子结构信息。

氙灯单色仪

光通量:单色前10*e17次方每秒每立体角

德国specs

201011

SPECS TMM304单色仪采用盒式光学设计用于获得用户所选波长的最大光通量,可对Xe气等离子体发光的光谱进行单色化,提取9.57eV的单色化光子,最高烘烤温度120℃。

强磁场低温系统

0.3K15T/17T

英国Oxford公司

201011

利用低温环境和强磁场的极端条件,对二维材料进行电学的测量,以观测二维材料在极端条件下的量子行为。

付里叶红外光谱仪

370-7800波数

德国布鲁克有限公司

201005

用于进行半导体量子材料、红外超材料等领域的红外光谱性质研究。

电子倍增性CCD探测器

分辨率1024×1024

美国普林斯顿仪器公司

201005

该仪器现在用于胶体实验和生物细胞实验的荧光观察。在实验中会用荧光染色的办法显微观测物体以提高物体和背景的对比度。通常的情况下荧光的强度都很弱,普通CCD感光的能力不足以区分信号荧光,此仪器可通过电子倍增的办法来使得微光信号可以灵敏地探测到。

高能电子衍射仪

1Kev35Kev/100mm1m

德国STAIB公司

201005

这台设备可以在超高真空环境下对薄膜样品的生长进行原位的监控与表征。不但可以监控薄膜样品每一层的生长过程,保证样品单层的质量,并且可以精确控制样品的厚度,并且给出样品整个生长过程中的结构信息。特别是在超晶格薄膜样品的生长中,此设备可以保证样品的完美生长。

高能电子衍射仪

1Kev35Kev/100mm1m

德国STAIB公司

201005

这台设备可以在超高真空环境下对薄膜样品的生长进行原位的监控与表征。不但可以监控薄膜样品每一层的生长过程,保证样品单层的质量,并且可以精确控制样品的厚度,并且给出样品整个生长过程中的结构信息。特别是在超晶格薄膜样品的生长中,此设备可以保证样品的完美生长。

高能电子衍射仪

1Kev35Kev/100mm1m

德国STAIB公司

201005

这台设备可以在超高真空环境下对薄膜样品的生长进行原位的监控与表征。不但可以监控薄膜样品每一层的生长过程,保证样品单层的质量,并且可以精确控制样品的厚度,并且给出样品整个生长过程中的结构信息。特别是在超晶格薄膜样品的生长中,此设备可以保证样品的完美生长。

倍频器

/三倍频

美国Coherent公司

201005

主要将coherent激光器中的种子光进行倍频实现高频率激光。

准分子激光器

248nm 400mJ 6W 20Hz 20 ns

美国Coherent公司

201004

准分子激光器

248nm 400mJ 6W 20Hz 20 ns

美国Coherent公司

201004

超短脉冲激光器

20fs

美国Coherent公司

201003

Coherent公司的Micra-10型号激光器配置了5W10W的两种Verdi泵浦激光。Micra的中心波长可调,光谱带宽也可以自由调节(从小于30nm到大于100nm),从而使时域脉宽可调节,脉冲时间20fsMicra凭借其宽带光谱输出,非常适合时间分辨光谱学,目前该设备用于时间分辨的角分辨光电子能谱实验。

扫描隧道显微镜控制单元

24signals/0-3kHz

瑞士Nanonis公司

201002

该系统为扫描隧道显微镜的控制单元,具有稳定性高,噪音小,可控性强,集成度高等特点,可以实现对扫描探针显微镜的探针台很好的操控并实现高质量的数据采集。

超连续光纤激光器

460-2400nm

丹麦NTK Photonics公司

201002

该超连续激光器主要作为自行搭建的微区空间分辨和角分辨光谱测量体系的激光光源。其最大优势在于输出波长的可调谐。使用极其简便。

射频及微波信号发生器

350w

Agilent公司

200912

该设备用于产生精确低噪声的微波信号,给声光调制器(AOM)和电光调制器(EOM)提供百kHzGHz的调制信号。

多功能磁学测试系统

0.7m×0.6m×1.3m

美国 Quantum Design 公司

200910

要测量不同温度下的磁化强度,磁滞回线;

实时劳尔反馈系统

实时快速:10秒成像

美国Multiwaire公司

200910

MWL110系统可以在10秒钟内准确找到样品的晶格方向,电子屏实时显示,多角度旋转确定位置,快速标注方向。我们通过实时定向系统,可以快速完成样品结构测定、定向、切割,及时反馈样品信息,使实验研究向更精确的分辨率,更定量化的方向扩展。

提纯器(仪)

定制

沈阳市高新区慧宇达真空电子经营部

200910

用于有机小分子材料温度梯度法提纯

激光器系统

794.978nm

美国Newfocus公司

200910

该设备用于提供高质量的相干光源。用于激发铷原子的D1能级。该激光器输出激光线宽窄(<1MHz),通过其自带的PZT模块可以精确调节其输出频率,以满足我们对于不同要求光源的需求。

太阳光模拟器

B

美国Newport公司

200909

用于为有机光伏器件测量提供标准光源

低温电磁铁探针台

温度6K/磁场6200G

美国Lake shore Cryotronics公司

200907

低温电磁铁探针台可以用来进行室温与低温下微结构的电输运测量,最小可以测量总尺寸在几十微米的微型器件,变温范围可达6K~330K,温度的误差可以稳定在0.01K以下;同时还配有电磁铁可以进行磁性相关的实验,磁场的可变范围在-1T~+1T

扫描探针显微镜

纳米级分辨率/多功能电学测试

美国Veeco公司

200904

纳米结构的形貌及物理特性测量,着重于在纳米尺度研究纳米结构的组分及物理特性,包括单纳米结构的导电特性、荷电性能、载流子分布、热电特性、光电特性等。

铁电材料测试仪

电压:1-100V

美国Radiant公司

200812

该设备可以在铁电材料上加偏置电压,进而测量材料的电滞回线,并且得到铁电材料的饱和极化、剩余极化以及矫顽场等信息。不仅可以输出交变电压持续测量,也可以通过脉冲电压来进行测量。所加电压最高可达+/-500V,脉宽可以在0.05微秒~1秒之间。

低温变温恒温器

11.00*11.00*27.27 inch, 温度 5-300 K

Janis Research

200811

用于测量电阻系统中的温度控制;

小型高分辨光谱仪

双通道,双出口,三光栅,紫外CCD

美国普林斯顿仪器有限公司

200811

光谱仪是研究光学性质最基本的仪器,我们课题组需要高分辨的光谱仪,这就要求光谱仪焦距长,光栅刻线数大,所购买的光谱仪非常适合我们的需求。

氧化物薄膜分子束外延设备

臭氧氧化源

VG Scienta

200806

氧化物薄膜分子束外延设备目前用于氧化物异质结、超晶格、超导材料等薄膜的生长,本底真空度10-10mbar,配置有高浓度臭氧提纯系统,是国内首套氧化物分子束外延设备。

单频可调谐钛宝石激光系统

*

美国CHOERENT公司

200806

该激光器主要是实现高品质单模输出的可调激光。其主要应用为结合微区空间分辨和角分辨光谱测量体系作为表面拉曼测量的激光光源。

近场扫描光学显微镜

*

以色列Nanonics zmaging公司

200806

主要应用于研究微纳光子学结构的在光和物质相互作用中的近场光分量,具有突破衍射极限的能力。

荧光光谱仪

焦距为:0.32

美国HORIBA JOBIN YVON公司

200806

主要应用于自行搭建的空间分辨显微暗场光学功能部分的光谱测量。

低温高磁场输运测量系统

5K-7T

美国Cryomagnetic公司

200804

该仪器主要用于低温强磁场下样品的磁光克尔效应测量。温度范围:5K-300K,磁场范围0-7T

超低温致冷系统

4K

美国 ADVANCEDRESEARCH SYSTEMS 公司

200701

在室温下,声子的参与或者其他杂质的影响导致一些光学材料的性质不能完全体现,在低温下反而会表现的更好,这就需要一台能够达到超低温的系统,来避免声子的干扰,从而达到更加精确的测量。

超高真空分子束外延生长和原位测量系统

真空度:1e-10-1e-11torr

美国SVT公司

200611

该设备可以在超高真空条件下通过分子束外延的手段生长多种材料纳米级的薄膜,包括金属、合金以及氧化物,系统内部真空度可达1*10?-10Torr,同时还配有俄歇电子能谱(AES)、高能电子衍射(RHEED)等原位测量功能,可以用来分析生长得到薄膜的质量好坏。

超高真空磁控溅射系统

JGP450

中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司

200604

用于制备各种金属薄膜;

光子寿命测量控制装置

探测精度为单光子两级300fs

法国Jobin Yvon公司

200604

在研究单光子性质时,光子的寿命作为一项重要的研究课题,需要用到其特有的寿命测量装置,该装置在这方面有着独特的优势和作用。

振动样品磁强计

*

美国LAKE SHORE 公司

200512

用测量室温磁化强度,磁滞回线,测量不同角度的磁滞回线。

飞秒激光三倍频产生

*

美国COHERENT

200510

飞秒激光器目前在科研上得到了广泛的应用,但是其缺点仍然是不能够得到想要的波长,所以二倍频和三倍频器的可以大大扩展激光器的用途。

光学显微镜

*

德国LEICA公司

200507

主要应用在生物结构色的微观观察以及生物样品微区光谱测量方面。

激光器系统

*

法国BRIO激光器公司

200502

用于提供有机半导体器件瞬态光电压(Transient Photovoltage, TPV)测量系统及时间分辨荧光光谱(Transient Photoluminescence, tr-PL )测量系统中的激发光信号

角分辨联合能谱仪

1MEV能量分辨氦0.1

德国OMNIVAC公司

200412

VG-Scienta公司的R4000电子能量分析器用于角分辨光电子能谱设备的二维半球型分析器,探测角度±15°,UPS工作模式下能量分辨率<1.8meV,是Scienta公司早期的主要分析器之一。

磁光测量低温恒温系统

5T超导磁体

OXFORD公司

200408

在强磁场下的光学性质除了要求低温以外,还要求温度可以保持恒定,这对仪器要求很高,要有一套成熟的设备来达到实验条件,该系统能够很好的满足我们的需求。

拉曼荧光光谱仪

*

JY公司

200408

拉曼光谱仪在测量材料的拉曼性质上得到了广泛应用,而拉曼作为鉴别分子的手段对研究各种微纳结构有着非常重要的用途,在半导体和二维材料领域尤其如此。

飞秒脉冲激光器系统

80UHZ

SPECTRA-PHYSICS公司

200407

飞秒激光器在科研上已属于必备的设备,因为其有着极其窄的脉冲时间宽度,可以用来测量时间分辨光谱或者其他时间分辨性质。另外其极其高的单脉冲能量可以用来测激射,或者大量非线性光学等性质。

物理特性测试系统

*

QUANTUM DESIGN公司

200403

2004年购买的PPMS EC I已于2014年升级为EC II系统。该系统为无液氦启动系统,消除了用户对液氦的依赖,不但免去了日常传输氦的麻烦,也大大降低了设备的运行成本;升级后的杜瓦设计隔热效果更好,升降温速率更快、氦气液化效果更好。

超高真空磁控溅射仪

JGP560D

沈阳中科仪技术公司

200212

磁控溅射是最常用的一种物理气相沉积技术,可以用于制备金属,半导体等镀膜材料。该仪器通过磁控溅射的方法将靶材溅射到衬底上,实现超高真空下的样品生长

变温扫描隧道显微镜

分辨率CU原子像

OMICRON公司

200212

扫描隧道显微镜是利用量子理论中的隧道效应探测物质表面结构的仪器。可以观察和定位单个原子,比同类的原子力显微镜具有更高的分辨率。其中样品可以降温至液氮温区。

超高真空系统

*

OMICRON德国

200102

薄膜样品生长与制备

光普扫描光度计

*

美国

200011

用于有机光电器件光谱测量

等离子体系统

*

美国INC公司

200010

用于有机半导体器件氧化铟锡(ITO)衬底表面处理

分子束外延系统

*

北京科学仪器厂

200008

用于制备小分子有机光电器件

氩离子激光器

*

美国COHERENT公司

200006

配套测量使用

惰性气体纯净仪

*

德国M.布劳恩公司

200005

用于提供惰性气氛保护下的有机半导体器件测量环境

无油共溅磁控溅射仪

2000W 600直流磁控

上海航天局第八零四所

199904

具有三个靶,配有两个射频电源和一个直流电源, 三个靶可以同时共溅,基片可以加温,也可以旋转.用于材料的研究.

ICCD探测器

1024X256

PRINATOR.IMSTRUMENFS

199808

用于时间分辨荧光光谱(Transient Photoluminescence, tr-PL )测量

扫描探针显微镜

*

199805

纳米结构的形貌及电学特性测量。进行改装后,可以用于研究单纳米材料在低温下的导电特性及机制。

表面磁光克尔效应仪

*

199801

该仪器是基于磁光效应原理设计的超高灵敏度磁强计,主要用于研究磁性薄膜、磁性微结构以及样品磁化强度和样品各向异性。

超真空扫描隧道显微镜

C3X10-10MBAR

OMLCROIV VAKUUMPH

199610

Omicron超高真空STM系统是室温工作的,主要用于半导体及金属表面形貌和原子结构、半导体表面金属纳米结构和石墨烯缺陷结构的测试研究,还能进行XSTMI-V特性测量。系统中可进行样品的加热和解离等清洁处理,真空淀积生长金属等材料。

AES外延系统

*

中科院沈阳科仪中心

199512

用于制备小分子有机光电器件

硅分子束外延系统

5X10-10

法国RIBER公司

199111

它有两个室:进样室和生长室
生长室配有两个蒸发源和三个掺杂源
主要用来做一些半导体材料生长和研究

电子束蒸发系统

双电子束枪

法国

198500

它有三个室: 进样室,分析室和生长室
生长室配有两个蒸发源,现加装了SVTA--600--6X3掺杂源和一个氧裂解源.
分析室配有AES分析仪
主要也是做一些材料生长和分析